%0 Journal Article
%T Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附
%A 徐永年
%A 张开明
%J 物理学报
%D 1984
%I 
%X 本文用原子集团模型和电荷自洽的EHT方法研究了Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的化学吸附。利用能量极小的原则确定了各元素的化学吸附构型。对于Cl,在这两个表面均是顶位吸附。对于Ⅰ,都呈三度空位吸附。对Br,顶位及三度空位吸附均能发生,但是在Si(111)表面顶位吸附要优于三度空位,而在Ge(111)表面则三度空位吸附优于顶位。最后对Ⅶ族元素原子在这两种表面的吸附行为作了讨论,并与实验作了比较。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=17AB22A30612126FC65E5668C26AE2A3&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=708DD6B15D2464E8&sid=266729317CF80522&eid=393FA6E3D9B6498B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0