%0 Journal Article
%T ELLIPSOMETRIC SPECTRUM AND OPTICAL PROPERTIES OF ION IMPLANTED SILICON<br>离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性
%A MO DANG
%A YE XIAN-JING
%A <br>莫党
%A 叶贤京
%J 物理学报
%D 1981
%I 
%X 为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,1015cm-2和1016cm-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在～4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=988C133017F53E0B9C3AAA1D3ABC179B&yid=AA64127AB7DEB65D&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D319A8CAE3372156&eid=5A700C739C4FF128&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=0