%0 Journal Article
%T 锗中隧道电流过程的理论(Ⅰ)——杂质引起的隧道电流
%A 甘子钊
%J 物理学报
%D 1963
%I 
%X 这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(～1019厘米-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AC7E65290F976D00F152216F6C515F75&yid=49BEA5698E310F48&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=C5154311167311FE&eid=B6DA1AC076E37400&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0