%0 Journal Article
%T 侵蚀法测定碳化硅结构极性的研究
%A 郭常霖
%A 唐士鑫
%J 物理学报
%D 1966
%I 
%X 碳化硅作为一种高温半导体材料和受激光发射材料,其表面的性质是很重要的。由于SiC的极性,它的两个(0001)面,即两个c面(硅面和碳面)无论在物理性质或是在晶体生长的某些习性上都会有显著的区别。不少人曾试图用各种方法判别SiC的两种c面,但至今尚未见有一种是方便而可靠的。一般用于判别极性晶面的方法有X射线反常吸收法、侵蚀法和生长外形分析法。X射线反常吸收法已成功地用于一些Ⅲ-Ⅴ族的半导体,如InSb,GaAs中,但因碳和硅原子序数低,吸收限波长大,而难于应用。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=C74A19DA0F75913D&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6D80B994DAB4686B&eid=9EB9AF946ABE60ED&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0