%0 Journal Article
%T A NEW PHENOMENON ABOUT THE {111} PLANAR PARTICLES BLOCKING DIP IN SINGLE CRYSTAL Si<br>Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象
%A WEI CHENG-LIAN
%A DONG YU-LAN
%A GAO ZHI-WEI
%A <br>魏成连
%A 董玉兰
%A 高之纬
%J 物理学报
%D 1980
%I 
%X 本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d(111)(a)和d(111)(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d(111)(a)和d(111)(b)以及d(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=26D834723A80542C&yid=E56875464B1C0EC1&vid=771469D9D58C34FF&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=966030800FCA5D46&eid=7D257F36093061DE&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0