%0 Journal Article
%T β—SiC外延层中晶体缺陷的观察
%A 郭常霖
%J 物理学报
%D 1982
%I 
%X 用腐蚀法研究了β-SiC外延层中的晶体缺陷。腐蚀剂为熔融氢氧化钾。三角形尖底蚀坑对应于位错。在β-SiC中的全位错为立方晶系的73°位错和60°位错。不同堆垛方式的β-siC生长层相遇时将形成{111}交界层错,其腐蚀图象为平行于<110>方向的直线。60°位错可分解为两个1/6<112>SchockLey不全位错,并夹着一片{111}层错构成扩展位错。三个1/6<110>压杆位错与三片{111}层错可构成层错锥体。正、反堆垛的β-SiC可形成尖晶石律双晶,双晶面为(111)。腐蚀法和X射线劳厄法证实了这种双晶的存在。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6764153413D971A48E06A49344171F9E&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=28652329520A4AA7&eid=2838795948C22802&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0