%0 Journal Article %T α—SiC晶体中的位错 %A 郭常霖 %J 物理学报 %D 1982 %I %X 用腐蚀法和X射线形貌术研究了α-SiC晶体中的位错。所用的腐蚀剂为熔融氢氧化钾。证实了尖底蚀坑与位错的一一对应关系。由于0001]方向的螺型位错的Burgers矢量比刃型位错的Burgers矢量大得多,故可从蚀坑的深浅来判别螺型位错和刃型位错。给出了蚀坑形状和多型体晶体结构的对应关系。研究了表面生长蜷线的形态与SiC晶体中的位错及位错运动的关系。X射线形貌图显示了α-SiC晶体中相当数量的位错处于基面C面上。生长位错从晶体“根部”成核并随着晶体生长前沿的向前推进而延伸,因而位错线的方向常常沿101O]和1120]方向。将腐蚀法和X射线形貌术结合起来才能全面显示α-SiC晶体中的位错。 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=866D4AB6DDFF0DFDCEDB471B531B8691&yid=3F3D540C9B7906DE&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=708DD6B15D2464E8&sid=3DB657DD5E356007&eid=D5FE4D327C08DA1B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0