%0 Journal Article
%T 磷在硅表面氧化层中的扩散
%A 李克诚
%A 薛士蓥
%A 祝忠德
%A 黄詠
%J 物理学报
%D 1965
%I 
%X 用示踪原子方法,研究了磷(Na2HP32O4)在p型硅表面氧化层中的扩散。硅单晶的电阻率为5—6欧姆·厘米。氧化层是在高温下水汽中生长的,其厚度为0.5—0.6微米,是用灵敏度为10-5克/刻度的微量天平测定的。发现在1245℃时氧化层的生长规律服从X1.85=1.4×10-2t,其中X为氧化层的厚度,单位为微米;t为氧化层的生长时间,单位为分钟。其红外吸收的测量结果与文献中的数据基本一致。扩散是在充满空气的封闭石英管中进行的,扩散温度为700—1250℃,扩散时间从4分钟到5小时。实验结果表明,磷在SiO2层中的浓度分布不能直接用菲克第二定律描述,它可以看成是一个均匀分布和一个遵守菲克第二定律的分布的迭加。按后一种分布得到在700—1200℃范围内的扩散系数的温度依赖关系:D=1.9×10-9exp(-1.1/kT)厘米2/秒。均匀分布部分的浓度为(1—8)×1019原子/厘米3。大中对所用方法和所得结果作了简单讨论.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=007B2D92EB957E48&yid=DCB97F70EF167067&vid=659D3B06EBF534A7&iid=38B194292C032A66&sid=C4490A71BEB872FA&eid=51F9E747BA1ACB45&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0