%0 Journal Article
%T A STUDY OF TRANSIENT CAPACITANCE OF GOLD ACCEPTOR ENERGY LEVEL IN SILICON UNDER UNIAXIAL STRESS<br>硅中金受主能级在单轴应力下瞬态电容的研究
%A YAO XIU-CHEN
%A QIN GUO-GANG
%A ZENG SHU-RONG
%A YUAN MIN-HUA
%A <br>姚秀琛
%A 秦国刚
%A 曾树荣
%A 元民华
%J 物理学报
%D 1984
%I 
%X 用恒定温度下瞬态电容法研究了硅中金受主能级在沿〈100〉,〈110〉,〈111〉晶向单轴应力作用下的能级移动。考虑到硅的导带在单轴应力下的分裂,导出了单轴应力下深中心中电子发射率的公式。根据该式和发射率的实验数据以及切变畸变势常数Ξu,求出了金受主能级激活能随应力的改变。在实验应力范围内(0—9kbar),激活能与应力成线性关系。当应力平行于〈110〉〈111〉晶向时,激活能随应力改变的斜率分别为α<110>=-3.2±0.6meV/kbar,α<111>=-0.3±0.6meV/kbar;当应力平行于〈100〉晶向,若取Ξu=9.2eV,α<100>=-5.8±0.8meV/kbar,若取Ξu=11.4eV,α<100>=-5.3±0.8meV/kbar,α表现出强烈的各向异性。进一步确定了金受主能级相对于零压力下导带底的绝对移动的压力系数。若取Ξu=9.2eV,这些系数分别为S<100>=-1.3±0.8meV/kbar,S<110>=0.7±0.6meV/kbar,S<111>=-0.7±0.6meV/kbar。如取Ξ=11.4eV,则S<100>=-3.5±0.8meV/kbar,S<110>=0.0±0.6meV/kbar,S<111>=-1.0±0.6meV/kbar。同一组的三个绝对移动值之间的偏离都超过了实验误差这一事实,说明了金中心具有立方对称性,同时中性金与带负电的金的基态都是非简并的可能性很小。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=EB88B238F68AD643BAA1CE1AB0F273D4&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=389106FB36CA8332&eid=A22854835F81B3F8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0