%0 Journal Article
%T THE THERMAL DESORPTION SPECTRA STUDY OF HYDROGEN CHEMISORPTION ON Si(100) CLEAN SURFACE<br>用热脱附谱研究氢在Si(100)清洁表面的吸附
%A JIN XIAO-FENG
%A FENG YI-QING
%A ZHUANG CHENG-QUN
%A WANG XUN
%A <br>金晓峰
%A 丰意青
%A 庄承群
%A 王迅
%J 物理学报
%D 1984
%I 
%X 用超高真空中对样品进行闪烁加热的方法,测量了Si(100)清洁表面吸附氢以后的热脱附谱。得到在室温下暴露氢时,低暴露量下只有一个脱附峰A,暴露量增大后,出现第二个脱附峰B。升高温度暴露氢,如在230℃以上暴露,热脱附谱中不出现B峰;在530℃以上暴露,则A,B峰均不出现。在室温下吸附氢后再加热退火,温度超过350℃,则热脱附谱中B峰不再存在;在530℃退火,则A峰也消失。热脱附的这些规律,使我们相信A峰和B峰分别对应于Si(100)表面的单氢化相和双氢化相的脱附。测量了它们的脱附活化能分别为52.9kcal/mol和14.5kcal/mol。从级数图证实了A峰的脱附属于一级脱附,但其机理并不与一般的一级或二级脱附机理相同。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=26B5EC783FAB38AEDC02D4F8298ED5DA&yid=36250D1D6BDC99BD&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=F4DCFB3CB96519BF&eid=9409F3EB075DCD5B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0