%0 Journal Article
%T 磷在SiO2-Si系统中的扩散
%A 李克诚
%A 薛士蓥
%A 祝忠德
%A 黄詠
%J 物理学报
%D 1965
%I 
%X 用中子激活方法,对气态P2O5在SiO2-Si系统中的扩散分布进行了直接测量。样品为p型Si单晶,电阻率为3—5欧姆·厘米,氧化层是在1250℃下水汽中生长的,其厚度为0.45—0.47微米。实验结果表明:对于完全掩蔽的样品,磷在SiO2层中的浓度分布有个陡峭的边界;对于掩蔽失效情形,在靠近SiO2-Si交界面约0.1微米的SiO2层内,磷的浓度显著地降低,出现一个明显的交界层,在交界层以外的SiO2层中磷的浓度是均匀的和恒定的,而交界层中磷的浓度及磷在Si中的表面浓度都随时间的延长而显著地升高,文中对所得的结果作了简单讨论。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0BEB66677F072FBE61B2190709A8E92D&yid=DCB97F70EF167067&vid=659D3B06EBF534A7&iid=E158A972A605785F&sid=E008F9AD6D4B96EF&eid=A586B761C9AA2FAA&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0