%0 Journal Article
%T 高分辨电子显微镜研究α-Si3N4晶格缺陷
%A 温树林
%A 冯景伟
%J 物理学报
%D 1985
%I 
%X 对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si3N4进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771?的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si3N4存在辐射损伤,这可能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=16EE93E3737F46389BD5B1A2A61046CF&yid=74E41645C164CD61&vid=339D79302DF62549&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=9822743C2D2BE348&eid=2F26E27A20AEB31F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0