%0 Journal Article
%T 硅中退火多边化
%A 王贵华
%A 刘振茂
%J 物理学报
%D 1966
%I 
%X 用化学侵蚀法对硅单晶中的退火多边化进行了实验研究。研究了多边化过程及其与退火温度的关系。根据实验数据求出硅中位错攀移激活能,发现形变时产生双滑移系退火而不形成多边化墙的主要原因,并非由于形成Lomer-Cottrell位错。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B38EA86C007CC328&yid=C7EA1836BA194C9B&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=216EFB25F7F834CC&eid=B941678158018439&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0