%0 Journal Article
%T CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS Ge IN Ge/Au, Ge/Ag BILAYER FILMS AND Ge-Au, Ge-Ag ALLOY FILMS<br>Ge/Au,Ge/Ag双层膜和Ge-Au,Ge-Ag合金膜中非晶Ge的晶化
%A ZHANG REN-JI
%A CHU SHENG-LIN
%A WU ZI-QIN
%A <br>张人佶
%A 褚圣麟
%A 吴自勤
%J 物理学报
%D 1986
%I 
%X 本文对Ge/An,Ge/Ag,双层膜和Ge-An,Ge-Ag合金膜的退火过程进行了透射电子显微镜观测,对Ge/多晶Au(或Ag)还进行了加热过程的原位观测。观测表明,多晶Au和单晶Au膜的存在使非晶Ge的晶化温度Tc的下降显著不同,可由晶界三叉点等处为非晶Ge的有利形核位置来解释,双层膜的缩聚区中由于局域优先晶化的影响,不仅Tc(=100℃)比非缩聚区中(Tc=150℃)低,而且形成直径为1—2μm的Ge大晶粒,而Ge/多晶Ag和Ge/单晶Ag膜的Tc均约为280℃,合金膜中金属含量较低时(CAu<17at％,CAg<18at％),Tc高于相应的Ge/多晶Au(Ag)膜;金属含量较高时,Tc低于Ge/多晶Au(Ag)膜。这说明过饱和金属原子的存在使得非晶Ge的晶化势垒大大降低。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=E90007D3CD899F31030C6A2465049D42&yid=4E65715CCF57055A&vid=6209D9E8050195F5&iid=38B194292C032A66&sid=683005D16807E4FE&eid=5F8BAECF36EB55E2&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0