%0 Journal Article
%T PENETRATION DEPTH OF IMPLANTED V~+ WITH LOW ENERGY IN PEANUT EMBRYO<br>低能钒离子注入花生种子的深度分布
%A WANG Chao
%A LU Ting
%A WANG Xin-fu
%A ZHOU Hong-yu
%A ZHU Guang-hua
%A <br>王超
%A 陆挺
%A 汪新福
%A 周宏余
%A 朱光华
%J 生物物理学报
%D 2001
%I 
%X 采用鼎瑟福背散射（RBS）和X射线能谱分析法（EDAX）对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量，并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察。结果表明，由于样品表面较粗糙以及其特殊结构，RBS方法不适于测量钒在花生肿胚中的深度分布，trim95也不适合于对注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟，而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm。另外，注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化。
%K Ion implantation
%K Depth distribution
%K Peanut embryo
%K Morphology<br>低能钒离子注入
%K 花生种胚
%K 卢瑟福背散射RBS
%K 深度分布
%K 种子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=90BA3D13E7F3BC869AC96FB3DA594E3FE34FBF7B8BC0E591&jid=E0C9D9BBED813D6674AC13E942EAC86D&aid=070EF6A9F8777230&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=381FB4265090A8E0&eid=26AEEED215BE97D0&journal_id=1000-6737&journal_name=生物物理学报&referenced_num=1&reference_num=13