%0 Journal Article
%T 一款基于0.18um CMOS工艺用于手持式应用的全集成超高频射频识别读写器芯片
%A 王敬超
%A 张春
%A 王志华
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文介绍了一款基于0.18um CMOS工艺用于短距离手持式应用的超高频射频识别读写器芯片，该芯片集成了包括射频收发机，频率综合器，数字基带处理和微处理器在内的所有模块。芯片内实现了高线性度的接收通路用于处理大的载波泄露信号，片内还集成了一个具有较高效率的E类功率放大器用于实现完整的读写器功能。测试表明，该读写器芯片的最大发射功率为21.48dBm，灵敏度为-60dBm。在10MHz的工作时钟下，数字处理单元和微处理器消耗的功耗为3.91mW，模拟部分包括功率放大器的功耗为368.4mW。包含PAD的芯片面积为5.1mm*3.8mm。
%K 超高频射频识别，读写器，单芯片，收发机，片上系统
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=49DCE55D249E3EABA6AFC3206210B85C&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=91955220373EBFC8&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0