%0 Journal Article
%T 一种2.8ppm/℃，高PSRR的BiCMOS电压带隙基准源
%A 明鑫
%A 卢杨
%A 张波
%A 周泽坤
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文设计了一种新型的高阶补偿，高PSRR的带隙基准源。电路利用双极型晶体管反偏电流ISS和正向电流增益β的温度特性进行曲率补偿，极大简化了补偿电路的面积和功耗；引入滤波电容和电平位移结构等技术提高了电源抑制特性。基于0.6-μm BCD工艺，该基准源在典型电压3.6V下工作电流约为28μA，温度系数为2.8ppm/℃，PSRR在低频时高于80dB，电源电压从3.6V变化到5.5V时线性调整率约为50ppm/V，能广泛应用于高精度便携式设备中。
%K 反偏电流
%K 电流增益
%K 曲率补偿
%K 电平位移
%K 滤波电容
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5CF838FC292EFF5F7414D81C6C5C1FB4&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9D0718F33A5189C6&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0