%0 Journal Article
%T Temperature dependence of charge sharing and MBU sensitivity induced by a heavy ion<br>重离子诱导的电荷共享以及MBU敏感性的温度特性
%A Liu Biwei
%A Chen Shuming
%A Liang Bin
%A <br>刘必慰
%A 陈书明
%A 梁斌
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 在200K~420K范围内，对130nm CMOS工艺下的电荷共享的温度特性进行了研究。器件模拟的结果表明，随着温度的上升，电荷共享收集量有66%~325%的增加。通过器件模拟得到了两个SRAM单元的MBU的LETth以及DICE单元的LETth。除了电荷共享，电路响应的温度特性也对LETth有显著的影响。
%K charge sharing
%K temperature dependence
%K parasitic bipolar
%K MBU<br>电荷共享，温度特性，寄生双极效应，多位翻转
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AC4947FF596D9A4C1A99305DBB94A068&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8B4B488765E5964A&eid=5D311CA918CA9A03&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0