%0 Journal Article
%T Properties of the ITO layer in a novel red light-emitting diode<br>新型红光LED中ITO的特性研究
%A Zhang Yonghui
%A Guo Weiling
%A Gao Wei
%A Li Chunwei
%A Ding Tianping
%A <br>张勇辉
%A 郭伟玲
%A 高伟
%A 李春伟
%A 丁天平
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境，435℃条件下，快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明，影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外，制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。
%K indium tin oxide
%K GaP
%K contact resistance
%K reliability<br>氧化铟锡，磷化镓，接触电阻，可靠性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B145D58F2D6CE08A4C3C966DBB938B89&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=E158A972A605785F&sid=C1E1D517952D8C11&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1