%0 Journal Article
%T An X-band four-way combined GaN solid-state power amplifier<br>X波段四路合成氮化镓功率放大器
%A Chen Chi
%A Hao Yue
%A Feng Hui
%A Gu Wenping
%A Li Zhiming
%A Hu Shigang
%A Ma Teng
%A <br>陈炽
%A 郝跃
%A 冯辉
%A 谷文萍
%A 李志明
%A 胡仕刚
%A 马腾
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本文利用自主研制的SiC 衬底的，栅宽为2.5mm的AlGaN/GaN HEMT器件，设计完成了X波段氮化镓合成固态放大器模块。模块由AlGaN/GaN HEMT器件，Wilkinson功率合成/分配器，偏置电路和微带匹配电路构成。为了使放大器稳定，在每一路放大器的输入端和输出端加入了RC 稳定网络，在栅极和直流输入之间加上稳定电阻，并且利用3/4 λ 枝接的威尔金森功率合成/分配器，从而有效消除其自激和低频串扰问题。在连续波条件下(直流偏置电压为Vds=27V，Vgs=-4.0V)，放大器在8GHz频率下线性增益为5dB，最大效率为17.9%，输出功率最大可为42.93dBm，此时放大器增益压缩为3dB。四路合成放大器的合成效率是67.5%。通过分析，发现了放大器合成效率的下降是由每路放大器特性的不一致、功率合成网络的损耗以及电路制造误差所造成。
%K A1GaN/GaN HEMT
%K solid-state power amplifiers
%K Wilkinson hybrid coupler<br>AlGaN/
%K GaN
%K 高电子迁移率晶体管
%K 固态功率放大器
%K 威尔金森电桥
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9B55FE1DEAF0C2C70AC78F234F610290&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5A17FF77FA53F6A4&eid=DF92D298D3FF1E6E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0