%0 Journal Article
%T 20－44GHz 宽带倍频器单片集成电路的设计研究
%A 李芹
%A 王志功
%A 李伟
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 摘要：本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了输出信号带宽为20~44GHz的宽带倍频器。倍频器由三部分组成：将单端信号转换成差分信号的有源巴仑, 产生倍频信号的推－推结构的平衡倍频器和分布式放大器。输出信号功率在整个频段为12～17dBm。基波抑制比的典型值为－20dBc左右，该倍频器的偏置电压为±3.5V，直流电流为200mA。芯片的面积为1.5mm ×1.8mm。
%K 倍频器
%K 有源巴仑
%K 分布式放大器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF16DD433E5FAE5A5EED34B302FFBBB8&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=E158A972A605785F&sid=FBCE277CE20F65BD&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0