%0 Journal Article
%T 60Co-γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件直流特性的影响
%A 谷文萍
%A 陈炽
%A 段焕涛
%A 郝跃
%A 张进城
%A 王冲
%A 冯倩
%A 马晓华
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 采用1.25Mev 60Co γ射线辐射源对钝化前后的AlGaN/GaN HEMT器件进行了1Mrad(Si)的总剂量辐射，实验发现：1Mrad总剂量辐射后未钝化器件的饱和漏电流和最大跨导分别下降了15%和9.1%，而且正向和反向栅电流明显增加，但是阈值电压几乎没有发生变化。相反的，同样的累积剂量下，钝化器件的饱和漏电流和最大跨导却基本没变。通过对钝化前后器件的不同辐射反应以及C-V测试的分析表明，栅-源和栅-漏间隔区辐射感生表面态负电荷的产生是低剂量下AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因，同时也说明钝化可以有效地抑制60Co γ辐射感生表面态电荷，它是一种有效的加固手段。
%K AlGaN/GaN
%K HEMTs，60Co
%K γ-射线辐射，表面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5AAD8D6FE3B963C923D1458D52646D3B&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=E158A972A605785F&sid=D51DBFA9DBFD9BC8&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0