%0 Journal Article
%T Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate array<br>SRAM型FPGA器件总剂量辐射损伤效应的研究
%A Gao Bo
%A Yu Xuefeng
%A Ren Diyuan
%A Li Yudong
%A Sun Jing
%A Cui Jiangwei
%A Wang Yiyuan
%A Li Ming
%A <br>高博
%A 余学峰
%A 任迪远
%A 李豫东
%A 孙静
%A 崔江维
%A 王义元
%A 李明
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文通过对辐照及辐照后退火时不同剂量率条件下FPGA器件的静态功耗电流进行在线实时测量,探讨了静态功耗电流随累积剂量及退火时间的变化关系,分析了辐照后常温(25℃)及高温(80℃)退火时,器件静态功耗电流迅速减小的原因。同时,移位测量了不同剂量率条件下输出波形的峰峰值、延迟时间等功能参数,讨论了峰峰值、延迟时间随累积剂量的变化关系。
%K SRAM型FPGA
%K γ-60Co
%K 总剂量辐射损伤
%K 评估方法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1E2B134F3CCFA08547A053AD038C965&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=D82D9811DCB56895&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=19