%0 Journal Article
%T 一种新的测量硅太阳电池前电极穿透p-n结所引起的漏电电阻率的方法
%A 张陆成
%A 沈辉
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 漏电电阻可以大幅度地降低太阳电池的转换效率，目前对它的测量一般是电池中所有的漏电所造成的总效果。为了测得太阳电池前电极穿透发射区所引起的漏电电阻值，本文制备了一种具有梁桥电极的新型结构太阳电池。结果表明，电池前电极穿透发射区所引起的漏电电阻率值比其他发射区域的漏电要严重的多。这些样品制备有与生产工艺兼容的特点，同时使用它能够为电池结构、材料组成和工艺参数提供许多有用的信息。
%K 太阳电池，漏电电阻，表征
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5D47CE4FBBF1E63AB06CBAE3F78536F8&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=876D199E79CC58D2&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0