%0 Journal Article
%T Tungsten oxide nanostructures: controllable growth and field emission<br>氧化钨纳米结构：可控制备及场发射性能
%A Yue Shuanglin
%A Xu Tingting
%A Li Wei
%A Yan Ji
%A Yi He
%A <br>岳双林
%A 许婷婷
%A 李伟
%A 闫佶
%A 一禾
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 通过简单调控化学气相沉积反应气压制备了形貌尺寸可控的各种非化学计量比氧化钨纳米结构。场发射研究表明W18O49纳米线具有优异的场发射性能。对于10 μA/cm2的发射电流，其开启电压为7.1 V/μm。 实验中测得最高场发射电流密度4.05mA，对应场强为17.2 V/μm。场发射过程中的热蒸发和脱附测试表明该氧化钨纳米线的场发射再现性很高。
%K non-fully oxidized tungsten oxides
%K field emission
%K nanowire<br>非化学计量比氧化钨，场发射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=649CF1A01F52D571AFC2EED34C4466DD&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=56D2365DB322F0CB&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14