%0 Journal Article
%T 对比于HfO2薄膜的HfOxNy-HfO2-HfOxNy三明治堆叠的退火影响
%A 张燕
%A 蒋然
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 对比研究了HfOxNy-HfO2-HfOxNy 三明治堆叠（标示为SS）薄膜和HfO2 薄膜在退火处理中的表现。AFM 形貌显示SS样品拥有更高的结晶温度和更好的表面形貌；FTIR 谱显示SS样品在退货过程中的界面氧化相对较轻；SS样品在退火过程中的驰豫和频散相对较小。 因此， SS 结构在热处理过程中，显示了比HfO2更优良的性质。同时PDA退火可以使样品的有效轨道电子迁移率和应力诱导电流得到改善。
%K 氮氧化铪
%K 介质
%K 扩散
%K 电学性质
%K 介电常数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FF2D49052A42F78560DABABBC0250F6C&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=5D311CA918CA9A03&sid=797117AE7D4A56CF&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0