%0 Journal Article
%T 基于铜-锡等温键合技术的圆片级气密封装
%A 曹毓涵
%A 罗乐
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文提出了一种新颖的基于铜-锡等温键合技术的圆片级气密封装方法。设计了多层焊环结构，并且根据理论计算和实验结果对焊料用量以及键合工艺参数进行了优化。验证实验证明该方法可以成功避免焊料层的氧化，空洞的生成以及贝壳状Cu6Sn5相的生成。利用金相分析、剪切强度和气密性检测对键合质量进行了分析，实验结果表明：优化后的Cu/Sn键合结构具有理想的键合效果，平均剪切力强度为19.5MPa，漏率约为1.9×10-9atm cc/s，达到了MIL-STD-883E表准的要求。
%K 圆片级封装，铜-锡瞬态液相键合，气密性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FA6036BFCC47A0BA9367BC3B0F10F387&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FED0DDE114F150E2&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0