%0 Journal Article
%T Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy<br>生长温度对于Ge衬底上分子束外延生长的InGaAs/GaAs量子阱结构质量的影响
%A He Jifang
%A Shang Xiangjun
%A Li Mifeng
%A Zhu Yan
%A Chang Xiuying
%A Ni Haiqiao
%A Xu Yingqiang
%A Niu Zhichuan
%A <br>贺继方
%A 尚向军
%A 李密锋
%A 朱岩
%A 常秀英
%A 倪海桥
%A 徐应强
%A 牛智川
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文研究了斜切割（100）Ge衬底上InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的分子束外延生长（In组分为0.17或者0.3）。所生长的样品用原子力显微镜、光致发光光谱和高分辨率透射电子显微镜进行了测量和表征。结果发现，为了生长没有反相畴的GaAs缓冲层，必须对Ge衬底进行高温退火。在GaAs外延层和InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的生长过程中，生长温度是一个至关重要的参数。文中讨论了温度对于外延材料质量的影响机理。通过优化生长温度，Ge衬底上的InxGa1-xAs/GaAs量子阱结构的光致发光谱具有很高的强度、很窄的线宽，样品的表面光滑平整。这些研究表面Ge 衬底上的III-V族化合物半导体材料有很大的器件应用前景。
%K Ge substrate
%K InGaAs/GaAs quantum well
%K molecular beam epitaxy<br>锗衬底，InGaAs/GaAs量子阱，分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3DFC88ABA190FA30FB87F9FB081BE33B&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=E158A972A605785F&sid=E33F0C674B4928B4&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0