%0 Journal Article
%T 使用0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術配合共平面波導結構研製Ka頻帶低雜訊放大器
%A 吴家松
%A 张建煌
%A 刘兴中
%A 林泰勇
%A 吴宪明
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 本篇論文研究使用串接電路與共平面波導結構配合0.15微米砷化鐌高速電子遷移率電晶體技術研製Ka(26.5 - 40.0 GHz)頻帶低雜訊放大器。研究結果顯示電晶體偏壓在Vds=2V、Vgs= -0.6V時，在30GHz得到增益12.53dB和29.5GHz得到雜訊3.3dB，實驗得到此技術具有寬頻、高增益與氐雜訊特性，非常適用於毫米波積體電路應用。
%K 低雜訊放大器
%K 共平面波導
%K 砷化鐌高速電子遷移率電晶體
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6708A4EC861A7C3F2585DC14E993B3A3&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=9C1A00D774A3307E&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0