%0 Journal Article
%T A 2.4 GHz high-linearity low-phase-noise CMOS LC-VCO based on capacitance compensation<br>基于电容补偿的高线性低噪声2.4GHz CMOS LC 压控振荡器
%A Li Zhenrong
%A Zhuang Yiqi
%A Li Bing
%A Jin Gang
%A Jin Zhao
%A <br>李振荣
%A 庄奕琪
%A 李兵
%A 靳刚
%A 靳钊
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 实现了一个基于标准0.18μm CMOS工艺的2.4GHz高线性低噪声交叉耦合LC压控振荡器。基于三段分布式偏置的开关容抗管电路和差分开关电容电路，提出了一种调谐灵敏度补偿结构，减小了压控振荡器的增益变化，获得了高线性度和良好的相位噪声性能。与传统结构的压控振荡器相比，本文提出的压控振荡器在整个频率调谐范围内具有更加恒定的增益。当载波频率为2.42GHz 时，在100kHz和1MHz的频偏处相位噪声分别为-100.96dBc/Hz和-122.63dBc/Hz。工作电压为1.8V时，电路功耗为2.5mW。该压控振荡器面积为500×810 μm2。
%K switched-capacitor
%K varactor
%K VCO
%K phase noise
%K tuning range
%K linearity<br>开关电容
%K 容抗管
%K 压控振荡器
%K 相位噪声
%K 调节范围
%K 线性度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=406A4D1258A02918B861C1E4DB6B2666&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6B8DE8690CA49CB3&eid=B31275AF3241DB2D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0