%0 Journal Article
%T 化学水浴法制备ZnS薄膜的结构与性能<br>The structure and properties of ZnS films prepared by chemical bath deposition
%A 李仲
%A 黄赛濠
%A 洪瑞江&lt
%A br&gt
%A LI Zhong
%A HUANG Saihao
%A HONG Ruijiang
%J 中山大学学报(自然科学版)
%D 2017
%X 采用化学水浴法制备了ZnS薄膜，并从沉积ZnS薄膜的化学反应原理出发，对其结构和性能进行了综合研究。结果表明：随着沉积时间的增加，ZnS薄膜厚度增加，其光学透过率降低，薄膜的禁带宽度也随之变小，最小值为3.74 eV；而薄膜的粗糙度变化不大，其值在6~9 nm之间。随着反应物浓度的增加，薄膜的光学透过率呈先增加后减小的变化，当反应物浓度过低或过高时，沉积反应都会向同质反应偏移，在薄膜表面生成杂质，导致薄膜不均匀。当沉积时间为120 min，ZnSO4、SC(NH2)2和NH3·H2O的浓度分别为0.03、0.4和4.0 mol/L时，沉积的ZnS薄膜呈均匀致密结构，成分为单一ZnS相，其光学透过率在450 ~ 900 nm波段高于70%
%K 硫化锌
%K 化学水浴法
%K 铜铟镓硒
%K 薄膜太阳电池
%K 缓冲层
%K &lt
%K br&gt
%K ZnS
%K chemical bath deposition (CBD)
%K CIGS
%K thin film solar cell
%K buffer layer
%U http://xuebao.sysu.edu.cn/Jweb_zrb/CN/abstract/abstract1583.shtml