%0 Journal Article
%T 三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿
%J 红外与毫米波学报
%D 2007
%X 研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.
%K 光激发
%K 空穴
%K 共振隧穿
%K 峰谷比
%K photo-excitation
%K holes
%K resonanttunneling
%K peak-to-valleycurrentratio(PVCR)
%K 势垒
%K 共振隧穿结构
%K 增强
%K 光生空穴
%K STRUCTURE
%K TUNNELING
%K thought
%K quantization
%K levels
%K quantumwell
%K side
%K hole
%K depressed
%K valley
%K vast
%K number
%K high
%K PVCR
%K value
%K current
%U http://journal.sitp.ac.cn/hwyhmb/hwyhmbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20070219&flag=1