%0 Journal Article
%T 碳纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料的研究
%A 杨雪
%A 戴永耀
%A 赵广文
%A 金东明
%J 材料工程
%D 1999
%X 使用CVD技术提高纤维增强陶瓷基复合材料的密度是很困难的,因为它很难使反应气体完全渗入到基体里面。这是由于“瓶颈”效应所致,即CVD过程阻塞了基体表面的小气孔,进而封闭了通向大气孔的入口。为此,提出一种新的方法位控CVD(PCCVD),来克服上述困难。通过控制反应气体通道位置和试样的加热位置,从而达到控制沉积位置,使沉积界面始终处于开孔状态。使用PCCVD技术制造的C/SiC复合材料,实际密度可达其理论密度的96%.
%K 碳纤维
%K 增强
%K 陶瓷基
%K 复合材料
%U http://jme.biam.ac.cn/CN/Y1999/V0/I2/19