%0 Journal Article
%T 纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁
%A 郑冬梅
%A 王宗篪
%J 量子电子学报
%P 385-391
%D 2012
%X 在有效质量近似基础上，考虑强的内建电场效应，变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为的离子受主束缚激子(A?,X)的发光波长。结果表明，离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸（高度和半径）、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加，离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时，发光波长先增大，在量子点的左界面附近达到极大值；随着离子受主杂质在量子点内继续右移，发光波长减小，当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值；进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时，发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比，当离子受主杂质位于量子点中心的左边时，杂质的引入使发光波长增大，当离子受主杂质位于量子点中心的右边时，杂质的引入使发光波长减小。
%K 光电子学
%K 柱形量子点
%K 内建电场
%K 离子受主束缚激子
%K 发光波长
%U http://lk.hfcas.ac.cn/CN/abstract/abstract8798.shtml