%0 Journal Article
%T 不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性
%A 张希军
%A 董康宁
%A 杨洁
%J 高电压技术
%P 1631-1636
%D 2015
%R 10.13336/j.1003-6520.hve.2015.05.029
%X 为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律，选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄，因而反偏注入MMESD时，高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600MHz时，失效电压最大，并且随着fT的升高或降低，器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高，当fT≤600MHz时，共发射极电流增益hFE突变至失效，当fT>600MHz时，hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。
%K 硅双极晶体管
%K 静电放电
%K 机器模型
%K 特征频率
%K 基区宽度
%K 电流增益
%U http://hve.epri.sgcc.com.cn/CN/abstract/abstract221.shtml