%0 Journal Article %T 氮离子注入SiO2单晶磨损机理的SEM研究 %A 徐洮 %A 薛群基 %A 田军 %J 摩擦学学报 %D 1999 %X 利用氮离子注入技术改善SiO2昌表面的摩擦磨损性能,并用扫描电子显微镜研究了离子注入前、后的SiO2单昌在干摩擦条件下与Si3N4球对摩时的磨损机理,研究结果表明,经过1*10^17N^+/剂量的氮离子注入后,SiO2单昌表面的耐磨性能比注入前提高了近4个数量级,氮离子注入使SiO2单晶表层形成SiO2微晶态与非晶态共存混合态结构,其具有良好的抗塑变和塑性剪切能力,从而使SiO2单晶的抗磨性能得到 %K 氮离子注入 %K SiO2单晶 %K 磨损机理 %U http://www.tribology.com.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=199904104&flag=1