%0 Journal Article
%T Propiedades semiconductoras de pel赤culas an車dicas de Ti: Influencia de las transformaciones estructurales
%A Pr車spero Acevedo-Peˋa
%A Gerardo V芍zquez
%A Dionisio Laverde
%A Julio E Pedraza-Rosas
%J Revista Latinoamericana de Metalurgia y Materiales
%D 2010
%I Universidad Sim車n Bol赤var
%X El crecimiento de pel赤culas an車dicas en la interfase Ti/0.1 M NaOH y su caracterizaci車n electroqu赤mica, muestran la existencia de cambios estructurales del 車xido formado desde TiO hasta el TiO2. La ocurrencia de estas transformaciones con el potencial de formaci車n de la pel赤cula (Ef ), no afect車 la cin谷tica de crecimiento de la pel赤cula pasiva, pero s赤 el 車xido formado en la interfase Ti/0.1 M NaOH. La variaci車n de la densidad de donadores (Nd) y el potencial de banda plana (Efb) con el Ef , se atribuy車 a las transformaciones estructurales. The electrochemical characterization of the anodic film growth on Ti / 0.1 M NaOH shows structural changes from TiO to TiO2. The occurrence of these transformations as a function of the formation potential (Ef ) does not affect the growth kinetics of the passive film, but the oxide formed at the Ti/0.1 M NaOH interface. The variation of the density of donors (Nd) and the flat band potential (Efb) with Ef was attributed to structural transformations.
%K Ti
%K Crecimiento potenciost芍tico
%K Transformaciones estructurales
%K Potencial de banda plana
%K Densidad de donadores
%K Ti
%K Anodic films
%K Structural transformations
%K Flat band potential
%K Density of donors
%U http://wwww.scielo.org.ve/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0255-69522010000200012