%0 Journal Article
%T Modellierung und Simulation des Substrat-Rauschens in integrierten RF CMOS-Schaltungen
%A L. Lin
%A J. Xiong
%A W. Mathis
%J Advances in Radio Science : Kleinheubacher Berichte
%D 2009
%I Copernicus Publications
%X Im integrierten CMOS-Schaltungsentwurf kann das Substrat-Rauschen, das vom digitalen Teil entsteht, die Funktionalit t des analogen Teils stark beeinflussen. Es wird daher immer wichtiger, das Substrat als ein Medium der Rauschen-Propagation genau zu modellieren. Im vorliegenden Artikel wird ein auf der Finite Elemente Methode (FEM) und Modellordnungsreduktion (MOR) basiertes Modellierungsverfahren zur Admittanzen-Extraktion im Halbleitersubstrat vorgestellt. Nach der Diskretisierung mit FEM wird das Substrat im Allgemeinen als ein resistives/kapazitives Netz angesehen. Durch Bestimmung der Admittanz-Matrix und MOR ist es m glich ein  quivalentes Dreipol-Modell zwischen digitalem und analogem Teil ¨ıber das Substrat zu bilden. Das Ergebnis der Modellierung wird dargestellt und mit numerischer Simulation des Substrat-Rauschens verglichen. Die Modellierung erm glicht es, die Einfl¨ısse des Substrat-Rauschens im Schaltungsentwurf zu ber¨ıcksichtigen und so bestehende CMOS-Schaltungsarchitekturen zu optimieren.
%U http://www.adv-radio-sci.net/7/163/2009/ars-7-163-2009.pdf