%0 Journal Article
%T Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
%A S. Stegemann
%A J. Xiong
%A W. Mathis
%J Advances in Radio Science : Kleinheubacher Berichte
%D 2009
%I Copernicus Publications
%X Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente in CMOS-Schaltungen und den dadurch erreichten Strukturgr  en nehmen quantenmechanische Effekte zunehmenden Einfluss auf die Funktion von Transistoren und damit auf die gesamte Schaltung. Unter Einbeziehung der Energiequantisierung an der Si/SiO2-Grenzfl che wird untersucht, wie sich durch eine Modifikation der Beschreibung des Oberfl chenpotenzials die Inversionsladung quantenmechanisch formulieren l sst. Im Hinblick auf den Entwurf und die Simulation von CMOS-Analogschaltungen wird dazu ein ladungsbasiertes MOS-Transistor-Modell zugrunde gelegt. Die sich daraus ergebenden Ver nderungen f¨ır die Kapazit ten und die Inversionsladung werden dabei f¨ır die Modellierung des quasiballistischen Drain-Source-Stromes verwendet. Dazu wird innerhalb dieses Modells ein Streufaktor berechnet, mit dem nanoskalierte MOS-Transistoren mit einer Kanall nge von unter 20 nm simuliert werden k nnen. Ausgehend von Parametern eines CMOS-Prozesses werden mit MATLAB die Einfl¨ısse der quantenmechanischen Effekte bei der Skalierung des Transistors analysiert.
%U http://www.adv-radio-sci.net/7/185/2009/ars-7-185-2009.pdf