%0 Journal Article
%T Luminescence and Recombination Centers in ZnO/Si Films<br>硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心
%A Liu Cihui
%A Yao Ran
%A Su Jianfeng
%A Ma Zeyu
%A Fu Zhuxi
%A <br>刘磁辉
%A 姚然
%A 苏剑锋
%A 马泽宇
%A 付竹西
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.
%K MOCVD
%K ZnO/p-Si
%K heterojunction
%K defect<br>MOCVD
%K ZnO/p-Si
%K 异质结
%K 缺陷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D5E63B3CA1C1B428&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E0F6F365E4766526&eid=FCD27DC5E1F2EEE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=17