%0 Journal Article
%T Microstructure of an InGaN/GaN Multiple Quantum Well LED on Si (111) Substrate<br>Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构
%A Li Cuiyun
%A Zhu Hu
%A Mo Chunlan
%A Jiang Fengyi
%A <br>李翠云
%A 朱华
%A 莫春兰
%A 江风益
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为10acm-2量级,其中多数为b=1/3〈112-0〉的刃位错.
%K GaN
%K Si substrate
%K LED
%K dislocation
%K TEM
%K DCXRD<br>GaN
%K Si衬底
%K LED
%K 位错
%K TEM
%K DCXRD
%K InGaN
%K 多量子阱
%K 外延材料
%K 微结构
%K Microstructure
%K Multiple
%K Quantum
%K Well
%K 刃位错
%K 位错密度
%K 分析表
%K 均匀
%K 厚度
%K 存在
%K 堆垛层错
%K 界面附近
%K 非晶层
%K 高分辨像
%K 生长
%K DCXRD
%K 衍射仪
%K 双晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EC6590481741BA36&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A93AF80BA961E8FF&eid=D68286E0C08ACACF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16