%0 Journal Article
%T Self-Aligned InGaP/GaAs Power HBTs with a Low Bias Voltage<br>低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管(英文)
%A Zheng Liping
%A <br>郑丽萍
%A 孙海锋
%A 狄浩成
%A 樊宇伟
%A 王素琴
%A 刘新宇
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 介绍L 波段、低偏置电压下工作的自对准In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2 GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×1 5 μm)×1 2的功率管获得了最大输出功率为2 3d Bm,最大功率附加效率为4 5 % ,线性增益为1 0 d B的良好性能
%K self
%K aligned
%K InGaP
%K power HBTs
%K low bias voltage<br>自对准
%K InGaP
%K 功率双异质结晶体管
%K 低偏置电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=47F266CA79FBDC8E&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=51FE5F6F4794AD16&eid=F434A3C2A19884E7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10