%0 Journal Article
%T 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器
%A 张权生
%A 吴荣汉
%A 林世鸣
%A 高洪海
%A 高文智
%A 吕卉
%A 韩勤
%A 段海龙
%A 杜云
%A 芦秀玲
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E7CC26DBC27A2E4D1F642C6CAC5DEDF2&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=0B39A22176CE99FB&sid=89F76E117E9BDB76&eid=6270DC1B5693DDAF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0