%0 Journal Article
%T Effects of Germanium on Oxygen Precipitation in Heavily Boron-Doped Czochralski Silicon<br>锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响
%A Jiang Huihu
%A Yang Deren
%A Tian Daxi
%A Ma Xiangyang
%A Li Liben
%A Que Duanlin
%A <br>江慧华
%A 杨德仁
%A 田达晰
%A 马向阳
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 通过单步长时间退火(650～1150℃/64h)和低高两步退火(650℃/16h 1000℃/16h和800℃/4～128h 1000℃/16h),研究锗对重掺硼硅(HB-Si)中氧沉淀的影响.实验结果表明,经过退火后,掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅,这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成,并对相关的机制做了初步探讨.
%K heavily boron-doped Czochralski silicon
%K germanium
%K oxygen precipitation<br>重掺硼直拉硅
%K 锗
%K 氧沉淀
%K 重掺硼直拉硅
%K 氧沉淀
%K 影响
%K Silicon
%K Czochralski
%K Oxygen
%K Precipitation
%K Germanium
%K 机制
%K 缺陷密度
%K 相关
%K 掺锗
%K 结果
%K 实验
%K 硼硅
%K 研究
%K 两步退火
%K 长时间
%K 单步
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F7139F677F7E64F&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=708DD6B15D2464E8&sid=C2C98652F0A9B3FD&eid=6C93B78AD20D3369&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18