%0 Journal Article
%T Influence of Deviation from Stoichiometry on Crystallinic Qualities and Optoelectronic Properties of MOCVD GaN<br>化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响
%A 江风益
%A 姚冬敏
%A 莫春兰
%A 王立
%A 李鹏
%A 熊传兵
%A 彭学新
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga N薄膜的结晶品质
%K GaN
%K XPS
%K RBS/channeling
%K PL
%K Hall measurement<br>GaN
%K X射线光电子能谱
%K RBS/沟道
%K 光致发光
%K Hall测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8084701E2B91B50B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4C49EFA0A53C9DF0&eid=626A0FE8E3130AB5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0