%0 Journal Article
%T Device Model Parameters for 2.5-10Gb/s HEMT Modulator Driver IC<br>2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数
%A 高建军
%A 高葆新
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 对高速调制器驱动电路 HEMT IC中器件参数进行了研究 ,着重讨论了 HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响 ,给出了满足电路性能要求的器件参数范围 ;对 2 .5— 10 Gb/ s PHEMT IC光驱动电路进行了计算机仿真 ,眼图模拟结果表明满足 2 .5— 10 Gb/ s高速光纤通信系统需要
%K high-speed optoelectronic integrated circuit
%K optical transmitters
%K driver IC
%K HEMT device model parameters<br>高速光集成电路
%K 光发射机
%K 驱动电路
%K HEMT器件模型参数
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=25D66F02A13B0931&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=FE6645F2371CA43C&eid=8C8D39B86A1EED4F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5