%0 Journal Article
%T Ge Pre-Amorphization Silicide Process for Fully-Depleted SOI CMOS Devices<br>Ge预非晶化硅化物工艺的研究
%A Sun Haifeng
%A Liu Xinyu
%A Hai Chaohe
%A Xu Qiuxia
%A Wu Dexin
%A <br>孙海锋
%A 刘新宇
%A 海潮和
%A 徐秋霞
%A 吴德馨
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 对全耗尽 SOI CMOS技术中的 Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究 .Ge的注入 ,使 Si非晶化 ,减小了硅化物的形成能量 .Ti硅化物在非晶层上形成 .与传统的 Ti硅化物相比 ,注 Ge硅化物工艺有两个明显的特点 :一是硅化物形成温度较低 ;二是硅化物厚度容易控制 .采用注 Ge硅化物工艺 ,使源漏薄层电阻约为 5 .2Ω /□ .经过工艺流片 ,获得了性能良好的器件和电路 ,其中 ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm 10 1级环振电路延迟为 45 ps
%K SOI CMOS devices
%K fully- depleted
%K Ge pre- am orphization<br>SOICMOS器件
%K 全耗尽
%K Ge预非晶化硅化物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E9A319631418BAF5&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=A48DE16C07AAAB06&eid=A6683C8C0EB9BCA7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9