%0 Journal Article
%T 变截面场效应管
%A 朱恩均
%J 半导体学报
%D 1980
%I 
%X 本文提出了一种具有渐变沟道“截面”(电导率)的新型场效应管.在通常的场效应管中,高频电流通过沟道时将因沟道电阻及其侧面电容的 R C效应而衰减,但是在一只 GaAs变截面场效应管中,当控制沟道场强使得其中的电子微分迁移率取负值时,高频电流振幅将沿着沟道递增,从而得出一种三端负阻放大器,其极限频率是很高的.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA04AF880CE2A9CAEDDE0913A491C196&yid=E56875464B1C0EC1&vid=CA4FD0336C81A37A&iid=E158A972A605785F&sid=8BB50A069C48D50B&eid=E42CAFB11D4BE21A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0