%0 Journal Article
%T InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜及其MIS结构C-V特性研究
%A 江若琏
%A 徐俊明
%A 刘青淮
%A 王凯
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 1985
%I 
%X 本文研究了利用正硅酸乙酯在InP上等离子增强化学汽相淀积SiO_2膜的方法.研究了InP表面处理对SiO_2-InP界面的影响.测量分析了SiO_2膜的性质,InP-MIS结构的C-V特性及其滞后、频散效应.结果指出,用这种方法可获得性能较好的SiO_2膜和SiO_2-InP界面.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D8F7E56D27EC7054E4E799CA5F2A1084&yid=74E41645C164CD61&vid=B31275AF3241DB2D&iid=E158A972A605785F&sid=9BA67A0B76A3DBA8&eid=4BEA9A781F286FC6&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0