%0 Journal Article
%T 流体静压力下窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe电学性质的研究
%A 刘冉
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1987
%I 
%X 本工作在 0-15kb的流体静压力范围内及 196 K和283-383K的温度下,测量了n-Hg_(1-x)Cd_xTe(0.05≤x≤0.25)电子浓度及电阻率随压力的变化n(p)和ρ(p).由实验值n(p)计算了禁带宽度E_g和费米能级E_f随压力的变化,并同利用化学键的介电理论和虚晶近似计算得到的(dE_g)/dP(x)进行比较.再将上述结果E_g(P)和E_f(P)作为基本变量,考虑极性光学(P.O.)声子散射和带电中心散射,计算了本实验条件下n-Hg_xCdxTe的迁移率和电阻率随压力的相对变化曲线,并同实验结果加以比较.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CD239F488BF4DF7988D7BB27CF593F1F&yid=9C2DB0A0D5ABE6F8&vid=5D311CA918CA9A03&iid=E158A972A605785F&sid=FED44C0135DC1D9C&eid=84A93BA251D28205&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0